半导体器件 - 晶体管偏置
晶体管有三个部分，即 - 发射极、基极和集电极。
基极比发射极薄得多，而集电极比两者都宽。
发射极掺杂较多，因此可以注入大量电荷载体进行电流传导。
基极将大部分电荷载体传递到集电极，因为它的掺杂程度比发射极和集电极轻。
为了使晶体管正常工作，发射极-基极区域必须正向偏置，而集电极-基极区域必须反向偏置。
在半导体电路中，源电压称为偏置电压。为了工作，双极晶体管必须使两个结都偏置。这种情况会导致电流流过电路。器件的耗尽区减小，多数电流载流子被注入结。晶体管工作时，其中一个结必须正向偏置，另一个结必须反向偏置。
NPN 晶体管的工作原理
如上图所示，发射极到基极结是正向偏置，集电极到基极结是反向偏置。发射极到基极结的正向偏置导致电子从 N 型发射极流向偏置。此条件构成发射极电流 (IE)。
在穿过 P 型材料时，电子倾向于与空穴结合（通常很少），并构成基极电流 (IB)。其余电子穿过薄耗尽区并到达集电极区。该电流构成集电极电流 (IC)。
换句话说，发射极电流实际上流过集电极电路。因此，可以认为发射极电流是基极电流和集电极电流的总和。它可以表示为，
IE = IB + IC
PNP晶体管的工作原理
如下图所示，发射极到基极结是正向偏置的，而集电极到基极结是反向偏置的。发射极到基极结的正向偏置导致空穴从P型发射极流向偏置。此条件形成发射极电流（IE）。
在穿过N型材料时，电子倾向于与通常很少的电子结合，并构成基极电流（IB）。其余空穴穿过薄耗尽区，到达集电极区。该电流构成集电极电流（IC）。
换句话说，发射极电流实际上流过集电极电路。因此，可以认为发射极电流是基极电流和集电极电流的总和。它可以表示为，
IE = IB + IC
