半导体器件 - JFET 偏置

JFET 偏置有两种方法：自偏置法和分压器法。本章将详细讨论这两种方法。

自偏置法

下图显示了 n 沟道 JFET 的自偏置法。漏极电流流过 R_s 并产生所需的偏置电压。因此，R_s 是偏置电阻。

因此，偏置电阻两端的电压，

$$V_s = I_{DRS}$$

众所周知，栅极电流可以忽略不计，栅极端子位于直流接地，V_G = 0，

$$V_{GS} = V_G - V_s = 0 - I_{DRS}$$

或 $V_{GS} = -I_{DRS}$

V_GS 保持栅极相对于栅极为负。到源极。

下图显示了偏置 JFET 的分压器方法。这里，电阻 R₁ 和 R₂ 形成跨漏极电源电压 (V_DD) 的分压电路，它或多或少与晶体管偏置中使用的分压电路相同。

跨 R₂ 的电压提供必要的偏置 −

$$V_2 = V_G = \frac{V_{DD}}{R_1 + R_2} imes R_2$$

$= V_2 + V_{GS} + I_D + R_S$

或 $V_{GS} = V_2 - I_{DRS}$

电路设计为 V_GS 始终为负。可以使用以下公式 − 找到工作点。

$$I_D = \frac{V_2 - V_{GS}}{R_S}$$

和 $V_{DS} = V_{DD} - I_D(R_D + R_S)$