晶体管的构造

以下是晶体管构造中使用的一些制造技术 −

扩散类型

在这种方法中，半导体晶片受到 N 型和 P 型杂质的一些气体扩散，以形成发射极和集电极结。首先，在基极扩散之前确定基极-集电极结并进行光刻。然后，将发射极扩散到基极上。通过这种技术制造的晶体管具有更好的噪声系数，并且还可以看到电流增益的改善。

生长类型

它是通过从熔融的硅或锗中拉出单晶形成的。在晶体拉制过程中，添加所需浓度的杂质。

外延类型

在相同类型的重掺杂衬底上生长出纯度极高且薄的硅或锗单晶层。这种改进的晶体形成集电极，发射极和基极结形成于集电极上。

合金类型

在这种方法中，基极部分由薄的N型材料片制成。在薄片的相对侧，附着两个小点铟，并将完整的形成物保持在高温下较短的时间。温度将高于铟的熔化温度，低于锗的熔化温度。这种技术也称为熔融结构。

电化学蚀刻类型

在这种方法中，在半导体晶片的相对侧，蚀刻出凹陷以减小基极区域的宽度。然后将合适的金属电镀到凹陷区域以形成发射极和集电极结。