半导体器件 - 耗尽区

最初，当结二极管形成时，载流子之间存在独特的相互作用。在 N 型材料中，电子很容易穿过结来填充 P 材料中的空穴。这种行为通常称为扩散。扩散是由于一种材料中载流子积累较多，而另一种材料中载流子聚集较少而导致的。

通常，靠近结的载流子仅参与扩散过程。离开 N 材料的电子会导致在其位置产生正离子。当进入 P 材料填充空穴时，这些电子会产生负离子。因此，结的每一侧都包含大量正离子和负离子。

这些空穴和电子耗尽的区域通常被称为耗尽区。这是缺乏多数电流载流子的区域。通常，在形成 P-N 结时会形成耗尽区。下图显示了结二极管的耗尽区。