电力电子 - MOSFET

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是一种用于切换电子信号的晶体管。它有四个端子，即源极 (S)、漏极 (D)、栅极 (G) 和主体 (B)。MOSFET 的主体通常连接到源极 (S) 的端子，从而产生类似于其他场效应晶体管 (FET) 的三端子器件。由于这两个主端子通常通过短路互连，因此电气图中只能看到三个端子。

它是数字和模拟电路中最常见的设备。与普通晶体管相比，MOSFET 需要低电流（小于一毫安）才能导通。同时，它提供超过 50 安培的高电流负载。

MOSFET 的工作原理

MOSFET 有一层薄薄的二氧化硅，可用作电容器的极板。控制栅极的隔离将 MOSFET 的电阻提高到极高的水平（几乎无限大）。

栅极端子与主要电流通路隔离；因此，没有电流泄漏到栅极中。

MOSFET 有两种主要形式 −

耗尽状态 − 这需要栅极-源极电压 (V_GB) 来关闭组件。当栅极为零 (V_GB) 时，器件通常处于开启状态，因此，它可用作给定逻辑电路的负载电阻。对于具有 N 型耗尽的负载器件，3V 是阈值电压，通过在负 3V 下切换栅极可关闭器件。
增强状态 −在此状态下，需要栅极-源极电压 (V_GB) 来打开组件。当栅极为零 (V_GB) 时，设备通常处于关闭状态，可以通过确保栅极电压高于源极电压来打开。