电力电子 - IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种具有三个端子的半导体器件，主要用作电子开关。它具有快速开关和高效率的特点，是现代电器（如灯镇流器、电动汽车和变频驱动器 (VFD)）的必备元件。
它能够快速开启和关闭，因此适用于放大器，以脉冲宽度调制处理复杂的波形。IGBT 结合了 MOSFET 和 BJT 的特性，分别实现高电流和低饱和电压容量。它使用 FET（场效应晶体管）集成隔离栅极以获得控制输入。
IGBT 符号
IGBT 的放大率由其输出信号与输入信号的比率计算得出。在传统的 BJT 中，增益度 (β) 等于其输出电流与输入电流的比率。
IGBT 的导通电阻 (RON) 值比 MOSFET 低得多。这意味着对于特定的开关操作，双极上的电压降 (I2R) 非常低。IGBT 的正向阻断作用类似于 MOSFET。
当 IGBT 用作静态受控开关时，其电流和电压额定值等于 BJT。相反，IGBT 中的隔离栅极使驱动 BJT 电荷变得更容易，因此所需的功率更少。
IGBT 的开启或关闭取决于其栅极端子是激活还是停用。栅极和发射极之间的恒定正电位差使 IGBT 保持导通状态。当输入信号被移除时，IGBT 将关闭。
IGBT 工作原理
与 BJT 不同，IGBT 只需要很小的电压即可维持器件中的导通。IGBT 是一种单向器件，也就是说，它只能在正向开启。这意味着电流从集电极流向发射极，而 MOSFET 是双向的。
IGBT 的应用
IGBT 用于中到超高功率应用，例如牵引电机。在大型 IGBT 中，可以处理数百安培范围内的大电流和高达 6kv 的阻断电压。
IGBT 还用于电力电子设备，例如转换器、逆变器和其他需要固态开关的电器。双极晶体管具有高电流和高电压。但是，它们的开关速度很慢。相反，MOSFET 具有较高的开关速度，尽管它们价格昂贵。
