基于配置

任何晶体管放大器都使用晶体管来放大信号，晶体管的连接方式有三种。对于放大器来说，最好具有较高的输入阻抗，以避免多级电路中的负载效应，并具有较低的输出阻抗，以便为负载提供最大的输出。电压增益和功率增益也应该很高，以产生更好的输出。

现在让我们研究不同的配置，以了解哪种配置更适合晶体管作为放大器工作。

CB 放大器

使用 CB 配置的晶体管组合形成的放大器电路称为 CB 放大器。

构造

使用 NPN 晶体管的共基极放大器电路如下所示，输入信号施加在发射极基极结处，输出信号取自集电极基极结。

发射极基极结由 V_EE 正向偏置，集电极基极结由 V_CC 反向偏置。工作点借助电阻 Re 和 R_c 进行调整。因此，I_c、I_b 和 I_cb 的值由 V_CC、V_EE、R_e 和 R_c 决定。

操作

当没有输入时，形成静态条件，没有输出。由于 V_be 相对于地为负，因此对于输入信号的正半部分，正向偏置会降低。因此，基极电流 I_B 也会减小。

下图显示了具有自偏置电路的 CB 放大器。

众所周知，

$$I_C \cong I_E \cong \beta I_B$$

集电极电流和发射极电流都会减小。

R_C 两端的电压降为

$$V_C = I_C R_C$$

此 V_C 也会减小。

随着 I_CR_C 减小，V_CB 会增加。这是因为，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，产生了正半周期输出。

在 CB 配置中，正输入产生正输出，因此输入和输出同相。因此，CB 放大器中的输入和输出之间没有相位反转。

如果考虑将 CB 配置用于放大，则它具有低输入阻抗和高输出阻抗。与 CE 配置相比，电压增益也较低。因此，CB 配置的放大器用于高频应用。

CE 放大器

使用 CE 配置的晶体管组合形成的放大器电路称为 CE 放大器。

构造

使用 NPN 晶体管的共发射极放大器电路如下所示，输入信号施加于发射极基极结，输出信号取自集电极基极结。

发射极基极结由 V_EE 正向偏置，集电极基极结由 V_CC 反向偏置。工作点借助电阻 R_e 和 R_c 进行调整。因此，I_c、I_b 和 I_cb 的值由 V_CC、V_EE、R_e 和 R_c 决定。

操作

当没有输入时，形成静态条件，没有输出。当施加信号的正半部分时，基极和发射极之间的电压 V_be 会增加，因为它相对于地已经是正的。

随着正向偏置的增加，基极电流也会相应增加。由于 I_C = βI_B，集电极电流也会增加。

以下电路图显示了具有自偏置电路的 CE 放大器。

当集电极电流流过 R_C 时，电压降会增加。

$$V_C = I_C R_C$$

因此，集电极和发射极之间的电压会降低。因为，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，放大的电压出现在 R_C 两端。

因此，在 CE 放大器中，由于正向信号显示为负向信号，因此可以理解为输入和输出之间存在 180^o 的相移。

与 CB 放大器相比，CE 放大器具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。CE 放大器的电压增益和功率增益也很高，因此主要用于音频放大器。

CC 放大器

使用 CC 配置的晶体管组合形成的放大器电路称为 CC 放大器。

构造

使用 NPN 晶体管的共集电极放大器电路如下所示，输入信号施加在基极集电极结处，输出信号取自发射极集电极结。

发射极基极结由 V_EE 正向偏置，集电极基极结由 V_CC 反向偏置。I_b 和 I_e 的 Q 值由 R_b 和 R_e 调整。

操作

当没有施加输入时，形成静止状态并且没有输出。当施加信号的正半部分时，正向偏置会增加，因为 V_be 相对于集电极或接地为正。这样，基极电流 I_B 和集电极电流 I_C 就会增加。

以下电路图显示了带有自偏置电路的 CC 放大器。

因此，R_e 上的电压降，即输出电压会增加。结果，获得了正半周期。由于输入和输出同相，因此不存在相位反转。

如果考虑使用 CC 配置进行放大，尽管 CC 放大器比 CE 放大器具有更好的输入阻抗和更低的输出阻抗，但 CC 的电压增益非常小，这限制了其仅适用于阻抗匹配。

CB CE CC 放大器之间的比较

让我们比较一下 CB、CE 和 CC 放大器的特性细节。

由于兼容性和特性，共射极配置主要用于放大器电路。